合肥工业四氟化碳厂家承诺守信「安徽谱纯」江苏的省会

四氟化碳物理性质 :

熔点-183.6℃，

分子式是CF4,

沸点-128.1℃，

液体密度(-130℃)1.613g/cm3，

液体折光率(-173℃)1.515，

固体转变点72.2K，

临界温度-45.67℃，

临界压力3.73MPa，

蒸气压（-150.7℃）13.33kPa

介电常数（25℃，0.5MPa）1.0006

临界密度：7.1dm3/mol

标准摩尔自由能：-929.84 kJ/mol

标准摩尔生成自由能：-887.41 kJ/mol

危险性类别：第2.2类不燃气体

高纯四氟化碳主要用于集成电路、半导体的等离子刻蚀领域，可用来蚀刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料，是用量大的等离子蚀刻气体。此外，高纯四氟化碳还可用于印刷电路板清洁、电子元器件清洗、太阳能电池生产等领域。四氟化碳用于各种集成电路的等离子刻蚀工艺，也用作激光气体，用于低温制冷剂、溶剂、润滑剂、绝缘材料、红外检波管的冷却剂。四氟化碳用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化后，随后通过硅胶干燥塔得到产品。

四氟化碳贮存注意事项：气瓶使用和检验遵照《气瓶安全监察规程》的规定。气瓶内的气体不能全部用尽，应该留不小于0.04MPa剩余压力。四氟化碳对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-H2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳是当前微电子工业中应用量高的等离子体蚀刻气体，被广泛应用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蚀刻。除此之外，四氟化碳还能在电子电器表面清洗、激光、低温制冷、太阳能电池等领域有着应用。