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碳化硅厂家生产的碳化硅为什么是第三代半导体重要的材料呢？

一、碳化硅器件的优势特性

碳化硅（SiC）是目前发展成熟的宽禁带半导体材料，对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。

二、与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：

1、高压特性

碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍，碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。

2、高频特性

3、高温特性

经过攀钢的试验，如果加入方法得当的，正确操作的情况下。碳化硅的加入可以更好的提高生产质量。碳化硅就可以补充钢水温度不足的情况，同时加入加入碳化硅8.0kg/t钢，钢水平均提温48.4℃（范围40.3-70.3℃）.转炉内加入适当的碳化硅，可以降低（TFe）1.3%，有利于转炉造渣脱硫和减少炉渣对耐火砖的损害。转炉内加入适当的碳化硅，可以降低（TFe）1.3%，有利于转炉造渣脱硫和减少炉渣对耐火砖的损害。

碳化硅的化学元素是SIC

中国别名也叫碳化硅晶须，碳化硅分为两种，黑绿两种，都是六方晶体，所以在别名中也在碳化硅后面，添上晶须两个字。

碳化硅还有一个名字叫做金刚砂，都是在粘土中高温下二氧化碳与碳所生成的。

与金刚砂一样，还有一个名字叫做耐火砂，这个名字相对叫的人较少，比重都为3.20～3.25，硬度为2840～3320kg/mm2。

英文名字叫silicon carbide

碳化硅的强度是在静负荷下用压磨粒的方法检验的，取5克碳化硅样品放到圆柱盘表面，上方加放另一个圆柱盘，加压至30KG/cm2，筛除压碎的碳化硅粒，取未压碎部分的重量与原碳化硅样品总重量做比值，比值越大，碳化硅的强度越大，反之，则说明碳化硅的强度小。

碳化硅的强度是在静负荷下用压磨粒的方法检验的，取5克碳化硅样品放到圆柱盘表面，上方加放另一个圆柱盘，加压至30KG/cm2，筛除压碎的碳化硅粒，取未压碎部分的重量与原碳化硅样品总重量做比值，比值越大，碳化硅的强度越大，反之，则说明碳化硅的强度小。