相移光栅基本参量有光栅周期Λ,有效折射率neff,折射率调制深度Δn。在DFB光纤激光器中,只用一个相移光栅来选频和反馈,实现谐振腔的功能,那么,相应影响光栅的一些参数将会直接影响谐振腔的性能,进而影响激光器的设计。影响因素有相移量、折射率调制深度,相移位置及相移光栅长度,下面运用传输矩阵法结合DFB光纤激光器进行仿l真分析。
选频波长一定时,耦合系数k由Δn决定, k=πΔn/λB,在DFB掺铒光纤激光器中,对于一定长度的光栅,损耗会直接影响耦合系数k的选取, k值一般取值范围为90m- 1~200m- 1。k值太小,在DFB激光器中不能起振, k值太大,由于损耗影响会造成输出功率急剧下降甚至几乎没有输出。本文选取光栅长度为5cm,光栅布拉格波长λB=1550nm,折射率调制深度为Δn =5×10- 5,有效折射率为neff=1. 45,光栅为单相移,相移量φ=π。光栅周期可由λB=2neffΛ计算得出Λ=534nm。
一般情况下,半导体激光器的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃,光谱宽度随之增加,影响颜色鲜艳度。另外,当正向电流流经pn结,发热性损耗使结区产生温升,在室温附近,温度每升高1℃,半导体激光器的发光强度会相应地减少1%左右,封装散热;时保持色纯度与发光强度非常重要,以往多采用减少其驱动电流的办法,降低结温,多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。但是,半导体激光器的光输出会随电流的增大而增加,目前,很多功率型半导体激光器的驱动电流可以达到70mA、100mA,需要改进封装结构,全新的半导体激光器封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片倒装结构,选用导热性能好的银胶,增大金属支架的表面积,焊料凸点的硅载体直接装在热沉方法。此外,在应用设计中,PCB线路板等的热设计、导热性能也十分重要。原文链接:http://www.lvyou2.com/caigou/5523.html,转载和复制请保留此链接。
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