曝光显影
1、蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻两类。
早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版,也广泛地被使用于减轻重量仪器镶板,铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工;经过不断改良和工艺设备发展,亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工,特别在半导体制程上,蚀刻更是不可或缺的技术。定影:胶片经曝光、显影后仅有25%银盐还原为银粒,组成负片上的影像,其它卤化银仍有感光能力,所以需要进行定影处理。
2、曝光就是光圈、快门和感光度ISO的组合。
其中光圈和速度联合决定进光量,ISO决定ISOCCD/CMOS的感光速度。
3、显影包括正显影和反转显影。
正显影中显影色粉所带电荷的极性,与感光鼓表面静电潜像的电荷极性是相反的,反转显影中感光鼓与色粉电荷极性是相同的。
东莞市清溪利成感光五金厂本厂主要做曝光显影工艺,平面、圆弧面、凹凸面、喷砂1氧2氧阳极、五金丝印.五金腐蚀等产品加工,有多年经验,有需要以上的工艺欢迎您的到来参观和洽谈,可免费打。
显影的主要过程如下:对准曝光一曝光后烘一显影一坚膜一显影检测。
显影( develop)
PEB之后,硅片冷却至239℃左右,与显影液温度相同,并与显影液发生化学反应。
一般来说,显影过程中被曝光和未曝光部分的光刻胶都会与光刻胶发生反应,因此,为得到良好的显影效果,可以通过改变显影液成分,显影温度,显影方式,与显影步骤等因素来加快曝光与为曝光部分光刻胶的溶解速率。
若对显影的要求不高,可以直接将硅片放入显影液槽中浸泡然后取出。对于大部分对显影要求较高的生产及实验过程,通常使用的匀胶显影机来自动控制显影过程,如图3回x回 e
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坚膜( HB Hardbake)
坚膜也称为硬烘,是对显影后的光刻胶加热烘干,促使光刻胶与硅片粘着牢固,并且没有发生形变。坚膜阶段的温度一般控制在100-120℃之间,若加热温度过高会使得光刻胶软化,如图4所示,并导致后期去胶困难。
一般使用热板或烘箱来控制温度变化。
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金属铝一度被用来制炊具,并且很受欢迎,因为铝锅等不易生锈,铝在空气中会与氧气反应形成一层致密的氧化铝膜,可是,科学证明,铝餐具是不宜用来蒸煮或长时间存放酸性、碱性和咸的食物的,因为酸碱盐等可以直接浸蚀金属铝表面的保护膜和铝制品本身。
采用人工方法使铝及其合金制品表面生成一层氧化膜(AlO)并施以不同的颜色,以提高铝材的耐磨性,延长使用寿命并增加色泽美观。氧化着色的基本工序为铝材表面处理、氧化、着色和随后的水合封孔、有机涂层等处理过程。
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