硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低。太阳能电池片的优劣需要通过测试分选，而对于不良的太阳能电池片，生产过程如何控制呢？下面是不良的太阳能电池片的控制流程：
1、领料时清点发料单上数量，档次（效率或功率）与实物是否相符；
2、拆箱前分选人员检查外箱是否受到撞击而造成破损和变形，如有变形或破损通知品管人员当场确认；
3、拆箱后分选人员确认每包标签上的数量与档次（效率或档次），与发料单是否相同；
4、拆包前分选人员检查每包的外观包装与电池片的情况，如有问题通知品管人员当场确认，如没有问题可继续拆包分选；
5、拆包后对每包电池片数量的清点，如有少片现象通知品管确认签字（开具异常单），之后再到仓库补料；
刻蚀
在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片
HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
太阳电池的分选对组件的性能及质量控制起着极其重要的作用，它将不仅影响到组件的电性能输出，而且极有可能引起曲线异常和热斑现象，导致组件的早期失效。本文从测试设备的软、硬件方面着手，详细分析了影响电池分选的主要原因，并且针对每个主要原因进行实验分析、验证，提出解决方案，终发现对电池片fV曲线拟合可以有效地解决电池片分选的问题，并终通过大量的数据分析验证方案的有效性，目前这一方法已得到广泛应用。
等离子刻蚀
硅片：硅单质材料的片状结构，厚度比较薄，主要有圆形和方形两种结构，有单晶和多晶之分。单晶是具有固定晶向的结晶体材料，一般用作半导体集成电路的衬底，也用于制作太阳能电池片。多晶是没有统一固定晶向的晶体材料，一般用于太阳能光伏发电，或者用于拉制单晶硅的原材料。单晶硅是一种优良的高纯半导体材料，IC级别的纯度要求达到9N以上（99.9999999%），区熔单晶硅片甚至达到11N（99.999999999%）以上。通常通过直拉法（CZ）和区熔法（FZ）长晶得到，其晶向通过籽晶来决定。单晶硅是目前重要的半导体材料，占据半导体材料市场的90%以上，是信息技术和集成电路的基础材料。