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刻蚀

在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片

HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。

太阳电池的分选对组件的性能及质量控制起着极其重要的作用，它将不仅影响到组件的电性能输出，而且极有可能引起曲线异常和热斑现象，导致组件的早期失效。本文从测试设备的软、硬件方面着手，详细分析了影响电池分选的主要原因，并且针对每个主要原因进行实验分析、验证，提出解决方案，终发现对电池片fV曲线拟合可以有效地解决电池片分选的问题，并终通过大量的数据分析验证方案的有效性，目前这一方法已得到广泛应用。

等离子刻蚀

硅片：硅单质材料的片状结构，厚度比较薄，主要有圆形和方形两种结构，有单晶和多晶之分。单晶是具有固定晶向的结晶体材料，一般用作半导体集成电路的衬底，也用于制作太阳能电池片。多晶是没有统一固定晶向的晶体材料，一般用于太阳能光伏发电，或者用于拉制单晶硅的原材料。单晶硅是一种优良的高纯半导体材料，IC级别的纯度要求达到9N以上（99.9999999%），区熔单晶硅片甚至达到11N（99.999999999%）以上。通常通过直拉法（CZ）和区熔法（FZ）长晶得到，其晶向通过籽晶来决定。单晶硅是目前重要的半导体材料，占据半导体材料市场的90%以上，是信息技术和集成电路的基础材料。

快速烧结

经过丝网印刷后的硅片，不能直接使用，需经烧结炉快速烧结，将有机树脂粘合剂燃烧掉，剩下几乎纯粹的、由于玻璃质作用而密合在硅片上的银电极。当银电极和晶体硅在温度达到共晶温度时，晶体硅原子以一定的比例融入到熔融的银电极材料中去，从而形成上下电极的欧姆接触，提高电池片的开路电压和填充因子两个关键参数，使其具有电阻特性，以提高电池片的转换效率。烧结炉分为预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。预烧结阶段目的是使浆料中的高分子粘合剂分解、燃烧掉，此阶段温度慢慢上升;烧结阶段中烧结体内完成各种物理化学反应，形成电阻膜结构，使其真正具有电阻特性，该阶段温度达到峰值;降温冷却阶段，玻璃冷却硬化并凝固，使电阻膜结构固定地粘附于基片上。